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內(nèi)容概括

本報告依據(jù)國家統(tǒng)計局、海關(guān)總署和國家信息中心等渠道發(fā)布的權(quán)威數(shù)據(jù)，從理論到實踐、從宏觀到微觀等多個角度進行研究分析。本報告是全面了解行業(yè)以及對本行業(yè)進行投資不可或缺的重要工具。PS：本報告將保持時實更新，為企業(yè)提供最新資訊，使企業(yè)能及時把握局勢的發(fā)展，及時調(diào)整應(yīng)對策略。

報告目錄

第一章　半導體照明（LED）產(chǎn)業(yè)總體分析

第二章　LED用襯底材料發(fā)展綜述

2.1　LED襯底材料的基本情況
2.1.1　LED外延片基本概述
2.1.2　紅黃光LED襯底
2.1.3　藍綠光LED襯底
2.2　LED用襯底材料總體發(fā)展狀況
2.2.1　全球LED材料市場
2.2.2　中國市場發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.3　技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析
2.2.4　襯底材料發(fā)展趨勢

第三章　藍寶石襯底發(fā)展分析

3.1　藍寶石襯底的基本情況
3.1.1　藍寶石襯底材料的特征
3.1.2　外延片藍寶石襯底要求
3.1.3　藍寶石生產(chǎn)設(shè)備的情況
3.1.4　藍寶石晶體生產(chǎn)方法
3.2　藍寶石襯底材料市場分析
3.2.1　全球市場現(xiàn)狀
3.2.2　中國市場現(xiàn)狀
3.2.3　中國市場格局
3.2.4　技術(shù)發(fā)展分析
3.2.5　發(fā)展困境分析
3.3　藍寶石項目生產(chǎn)狀況
3.3.1　原材料
3.3.2　生產(chǎn)設(shè)備
3.3.3　項目進展
3.4　市場對藍寶石襯底的需求分析
3.4.1　民用半導體照明
3.4.2　民用航空領(lǐng)域
3.4.3　軍工領(lǐng)域
3.4.4　其他領(lǐng)域
3.5　藍寶石襯底材料的發(fā)展前景
3.5.1　全球發(fā)展趨勢
3.5.2　未來市場需求

第四章　硅襯底發(fā)展分析

4.1　半導體硅材料的基本情況
4.1.1　電性能特點
4.1.2　材料制備工藝
4.1.3　材料加工過程
4.1.4　主要性能參數(shù)
4.2　硅襯底LED芯片主要制造工藝的綜述
4.2.1　Si襯底LED芯片的制造
4.2.2　Si襯底LED封裝的技術(shù)
4.2.3　S襯底LED芯片的測試結(jié)果
4.3　硅襯底上GaN基LED的研究進展
4.3.1　優(yōu)缺點分析
4.3.2　緩沖層技術(shù)
4.3.3　LED器件
4.4　硅襯底材料技術(shù)發(fā)展
4.4.1　國內(nèi)技術(shù)現(xiàn)狀
4.4.2　中外技術(shù)差異

第五章　碳化硅襯底發(fā)展分析

5.1　碳化硅襯底的基本情況
5.1.1　性能及用途
5.1.2　基礎(chǔ)物理特征
5.2　SiC半導體材料研究的闡述
5.2.1　SiC半導體材料的結(jié)構(gòu)
5.2.2　SiC半導體材料的性能
5.2.3　SiC半導體材料的制備
5.2.4　SiC半導體材料的應(yīng)用
5.3　SiC單晶片CMP超精密加工的技術(shù)分析
5.3.1　CMP超精密加工發(fā)展
5.3.2　CMP技術(shù)的原理
5.3.3　CMP磨削材料去除速率
5.3.4　CMP磨削表面質(zhì)量
5.3.5　CMP影響因素分析
5.3.6　CMP拋光的不足
5.3.7　CMP的發(fā)展趨勢
5.4　碳化硅襯底材料發(fā)展現(xiàn)狀
5.4.1　技術(shù)發(fā)展狀況
5.4.2　市場發(fā)展狀況

第六章　砷化鎵襯底發(fā)展分析

6.1　砷化鎵的基本情況
6.1.1　定義及屬性
6.1.2　材料分類
6.2　砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用
6.2.1　LED需求市場
6.2.2　LED應(yīng)用狀況
6.3　砷化鎵襯底材料的發(fā)展
6.3.1　國外技術(shù)發(fā)展
6.3.2　國內(nèi)技術(shù)發(fā)展
6.3.3　國內(nèi)生產(chǎn)廠家
6.3.4　材料發(fā)展趨勢
6.3.5　市場規(guī)模預(yù)測

第七章　其他襯底材料發(fā)展分析

7.1　氧化鋅
7.1.1　氧化鋅的定義
7.1.2　物理及化學性質(zhì)
7.2　氮化鎵
7.2.1　氮化鎵的定義
7.2.2　GaN材料特性
7.2.3　GaN材料應(yīng)用
7.2.4　技術(shù)研究進展
7.2.5　未來發(fā)展前景

第八章　LED用襯底材料行業(yè)重點企業(yè)分析

8.1　國外主要企業(yè)
8.1.1　京瓷（Kyocera）
8.1.2　Namiki
8.1.3　Rubicon
8.1.4　Monocrystal
8.1.5　CREE
8.2　中國臺灣主要企業(yè)
8.2.1　臺灣中美硅晶制品股份有限公司
8.2.2　臺灣合晶科技股份有限公司
8.2.3　臺灣鑫晶鉆科技股份有限公司
8.2.4　臺灣晶美應(yīng)用材料股份有限公司
8.2.5　臺灣銳捷科技股份有限公司
8.3　中國大陸主要企業(yè)
8.3.1　天通控股股份有限公司
8.3.2　浙江水晶光電科技股份有限公司
8.3.3　貴州皓天光電科技有限公司
8.3.4　哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)股份有限公司
8.3.5　云南省玉溪市藍晶科技股份有限公司
8.3.6　青島嘉星晶電科技股份有限公司
8.3.7　深圳市愛彼斯通半導體材料有限公司

第九章　LED用襯底材料行業(yè)投資分析

9.1　LED照明行業(yè)投資時期
9.2　中國LED市場發(fā)展前景
9.3　全球市場發(fā)展規(guī)模預(yù)測
9.4　LED行業(yè)上游投資風險分析

圖表目錄

圖表　LED應(yīng)用領(lǐng)域細分情況
圖表　中國LED顯示屏應(yīng)用產(chǎn)值
圖表　中國LED背光源應(yīng)用產(chǎn)值
圖表　中國LED照明產(chǎn)品市場滲透率
圖表　2018年全球LED材料市場規(guī)模
圖表　使用藍寶石襯底做成的LED芯片示例
圖表　藍寶石生產(chǎn)線設(shè)備明細
圖表　三種襯底性能比較
圖表　晶格結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　晶向示意圖
圖表　Si襯底GaN基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)圖
圖表　封裝結(jié)構(gòu)圖
圖表　SiC其它的優(yōu)良特性
圖表　SiC單晶片CMP示意圖
圖表　砷化鎵基本屬性
圖表　GaAs晶體生長的各種方法的分類
圖表　LED發(fā)光亮度
圖表　我國砷化鎵在高亮度LED應(yīng)用市場構(gòu)成
圖表　中國砷化鎵材料主要生產(chǎn)企業(yè)
圖表　京瓷公司各業(yè)務(wù)部門的銷售額構(gòu)成比例（合并）
圖表　京瓷公司各地區(qū)的銷售額（合并）（截至2016年3月底的會計年度）
圖表　京瓷公司銷售額變化（并表）
圖表　京瓷公司本年度稅前利潤、凈利潤的變化（并表）
圖表　臺灣中美硅晶制品營業(yè)收入
圖表　哈爾濱工大奧瑞德光電技術(shù)有限公司主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、分產(chǎn)品、分地區(qū)情況
圖表　哈爾濱工大奧瑞德光電技術(shù)有限公司產(chǎn)銷量情況分析表

版權(quán)聲明

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