砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導(dǎo)體材料，化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵材料的應(yīng)用領(lǐng)域主要分為微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域。而生產(chǎn)GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運(yùn)用于高頻及無線通訊(主要為超過1G Hz以上的頻率)，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對應(yīng)的光波波長，制作成光電元件。砷化鎵元件是無線通訊產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵性零組件之一，隨著通訊產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢下，近幾年來已成為手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路不可或缺的重要關(guān)鍵元件。雖然全球智慧型手機(jī)年出貨量已進(jìn)入低度成長，但隨著VCSEL的應(yīng)用導(dǎo)入手機(jī)及5G世代的開啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無減，同時超高頻通訊的普及以及光通訊應(yīng)用的崛起對于砷化鎵元件都有強(qiáng)勁的需求。根據(jù)Strategy Analytics的研究報告，2018年，全球砷化鎵元件市場(含IDM廠商之組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為88.7億美元，達(dá)到歷史新高，相比2017年的88.3億美元同比增長0.45%。根據(jù)Yole預(yù)計，2024-2029年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模年均復(fù)合增長速度為10%，其中微電子領(lǐng)域為CAGR為3%，光電子領(lǐng)域CAGR為54%。到2024年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達(dá)到157.1億美元。目前，中國作為電子信息制造業(yè)大國，下游應(yīng)用市場廣闊。隨著我國光電通信等行業(yè)繼續(xù)大力發(fā)展。GaAs行業(yè)的市場需求潛力依然較大，未來中國砷化鎵市場占全球比重也將不斷增加。

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