
本報(bào)告依據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局、海關(guān)總署和國家信息中心等渠道發(fā)布的權(quán)威數(shù)據(jù),從理論到實(shí)踐、從宏觀到微觀等多個(gè)角度進(jìn)行研究分析。本報(bào)告是全面了解行業(yè)以及對本行業(yè)進(jìn)行投資不可或缺的重要工具。PS:本報(bào)告將保持時(shí)實(shí)更新,為企業(yè)提供最新資訊,使企業(yè)能及時(shí)把握局勢的發(fā)展,及時(shí)調(diào)整應(yīng)對策略。
1.1 半導(dǎo)體材料簡介
1.2 半導(dǎo)體材料制備工藝
2.1 2011-2012年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)回顧
2.1.1 2009年全球半導(dǎo)體材料市場概況
2.1.2 2011年半導(dǎo)體材料市場需求強(qiáng)勁反彈
2.1.3 2012年全球半導(dǎo)體材料市場營收再創(chuàng)新高
2.2 2013-2014年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)狀況
2.3 2012-2014年國內(nèi)外半導(dǎo)體材料研發(fā)動(dòng)態(tài)
2.4 半導(dǎo)體材料行業(yè)面臨的形勢及發(fā)展前景分析
3.1 2012-2014年半導(dǎo)體硅材料行業(yè)概述
3.2 多晶硅
3.3 單晶硅
3.4 硅片
3.4.3 2014年全球硅片市場動(dòng)態(tài)
3.4.5
3.5 半導(dǎo)體硅材料及其替代品發(fā)展前景分析
4.1 砷化鎵(GaAs)
4.2 2012-2014年國內(nèi)外砷化鎵產(chǎn)業(yè)分析
4.3 2012-2014年砷化鎵市場應(yīng)用及需求分析
4.4 磷化銦(InP)
5.1 2012-2014年第三代半導(dǎo)體材料概述
5.2 碳化硅(SiC)
5.3 氮化鎵(GaN)
5.4 2012-2014年寬禁帶功率半導(dǎo)體器件發(fā)展分析
6.1 半導(dǎo)體行業(yè)
6.2 半導(dǎo)體照明行業(yè)
6.3 太陽能光伏電池產(chǎn)業(yè)
7.1 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
7.1.2 2012年1-12月有研硅股經(jīng)營狀況分析
7.1.3 2013年1-12月有研硅股經(jīng)營狀況分析
7.1.4 2014年1-12月有研硅股經(jīng)營狀況分析
7.2 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
7.2.2 2012年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析
7.2.3 2013年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析
7.2.4 2014年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析
7.3 峨眉半導(dǎo)體材料廠
7.4 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
7.5 洛陽中硅高科技有限公司
圖表 主要半導(dǎo)體材料的比較
圖表 半導(dǎo)體材料的主要用途
圖表 全球半導(dǎo)體材料市場對比分析
圖表 半導(dǎo)體前道工藝中使用的各種材料預(yù)測
圖表 全球半導(dǎo)體封裝材料市場情況
圖表 全球半導(dǎo)體材料主要區(qū)域市場分析
圖表 分子材料OTFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖及器件的轉(zhuǎn)移曲線
圖表 分子材料OTFT器件的穩(wěn)定性測試
圖表 以單根微米單晶線制備的場效應(yīng)晶體管和電流-電壓曲線
圖表 中國半導(dǎo)體材料需求量
圖表 2009年4月-2011年4月二氧化硅月度進(jìn)口量變化圖
圖表 單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈圖示
圖表 全球太陽能電池產(chǎn)量變化
圖表 全球太陽能電池市場消耗硅材料量
圖表 世界主要太陽能電池用硅片制造商產(chǎn)量一覽表
圖表 世界主要太陽能級單晶硅材料制造商產(chǎn)量一覽表
圖表 我國太陽能級硅單晶生產(chǎn)狀況
圖表 我國太陽能用單晶硅消耗量
圖表 我國太陽能級單晶硅材料制造商的生產(chǎn)能力和產(chǎn)量一覽表
圖表 現(xiàn)代微電子工業(yè)對硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求
圖表 各種不同硅片尺寸的價(jià)格
圖表 各種不同工藝節(jié)點(diǎn)的硅片售價(jià)變化圖
圖表 全球硅片出貨量按尺寸計(jì)預(yù)測
圖表 中國硅片市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖表
圖表 全球芯片數(shù)量與硅片需求量預(yù)測
圖表 砷化鎵晶體特性
圖表 GaAs晶體的物理特性
圖表 GaAs材料與Si材料的特性比較
圖表 國內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開發(fā)情況(液封直拉法)
圖表 國內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開發(fā)情況(水平布里幾曼法)
圖表 國內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開發(fā)情況(垂直梯度凝固法)
圖表 我國砷化鎵材料發(fā)展戰(zhàn)略
圖表 砷化鎵電子器件和光電子器件應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 砷化鎵器件的應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 SiC材料的優(yōu)良特性
圖表 1.6*
圖表 垂直碳化硅功率JFET結(jié)構(gòu)(不需重新外延)
圖表 垂直碳化硅功率JFET結(jié)構(gòu)(需重新外延)
圖表 氮化鎵HEMT器件(硅襯底)
圖表 總體半導(dǎo)體營業(yè)收入最終估值(按地區(qū)細(xì)分)
圖表 25大半導(dǎo)體供應(yīng)商全球營業(yè)收入最終排名
圖表 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額對比
圖表 TI公司的業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型
圖表 富士通非常重視GaN功率半導(dǎo)體的發(fā)展
圖表 世界太陽能電池產(chǎn)量
圖表 中國多晶硅產(chǎn)能規(guī)劃
圖表 中國光伏建議裝機(jī)量
圖表 2012年1-12月有研硅股主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)
圖表 2012年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 2009年-2012年有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2012年1-12月有研硅股主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況
圖表 2012年1-12月有研硅股主營業(yè)務(wù)分地區(qū)情況
圖表 2013年1-12月有研硅股主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)
圖表 2013年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 2011年-2013年有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2013年1-12月有研硅股主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況
圖表 2013年1-12月有研硅股主營業(yè)務(wù)分地區(qū)情況
圖表 2014年1-12月有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)及財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2014年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)
圖表 2012年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 2009年-2012年中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況
圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務(wù)分地區(qū)情況
圖表 2013年1-12月中環(huán)股份主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)
圖表 2013年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 2011年-2013年中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2013年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況
圖表 2013年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務(wù)分地區(qū)情況
圖表 2014年1-12月中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)及財(cái)務(wù)指標(biāo)
圖表 2014年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額
圖表 峨半廠主要產(chǎn)品產(chǎn)量變化
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