中商情報網(wǎng)訊：中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷全棧技術(shù)攻堅與產(chǎn)能擴(kuò)張雙輪驅(qū)動階段。3D NAND層數(shù)突破（200+層）、DRAM制程躍進(jìn)（17nm量產(chǎn)）、HBM封裝（2.5D/3D集成）構(gòu)成技術(shù)升級主線，設(shè)備材料國產(chǎn)化率從不足10%提升至25%。市場需求端，智能汽車（車載存儲年復(fù)合增速35%）、AI算力（HBM需求2025年達(dá)150億美元）、信創(chuàng)替代（金融/政務(wù)SSD招標(biāo)國產(chǎn)化率超70%）形成增長三角。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)凸顯，從前驅(qū)體材料（高k介質(zhì)）、刻蝕設(shè)備（5nm精度）到封測（TSV/HBM）實現(xiàn)垂直打通。挑戰(zhàn)集中于知識產(chǎn)權(quán)壁壘（DDR5專利交叉授權(quán)）、設(shè)備禁運（EUV光刻機(jī)限制）及周期波動（NAND價格年降15%）。政策層面，大基金三期2500億元注資重點支持存儲全產(chǎn)業(yè)鏈，目標(biāo)2027年實現(xiàn)存儲芯片自給率40%以上。
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2030年中國存儲芯片行業(yè)前景與市場趨勢洞察專題研究報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、行業(yè)研究報告、行業(yè)白皮書、行業(yè)地位證明、可行性研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜、產(chǎn)業(yè)招商指引、產(chǎn)業(yè)鏈招商考察&推介會、“十五五”規(guī)劃等咨詢服務(wù)。
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